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ZnO是六方晶系纖鋅礦結構，其化學鍵處于離子鍵與共價鍵的中間鍵型狀態，氧離子以六方密堆，鋅離子占據一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對開放的晶體結構，開放的結構對缺陷的性質及擴散機制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負離子的配位數均為4，所以容易引入外部雜質，ZnO熔點為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級和Zn2+的空的4s能級組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學計量比的純凈ZnO應是絕緣體，而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學計量比n型半導體。

Eda等認為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴散快，對壓敏電阻穩定性有很大影響。

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ZnO壓敏電阻已發明三十多年，世界范圍眾多科研工作者無論在配方的探討、優化還是微觀形成機理的檢測和分析領域都進行卓有成效的工作，摸索了一些適合工業化生產的配方和具體工藝路線。對配方的進行了細致的實驗摸索，旨在提高宏觀電性能如：通流能力、非線形系數、能量耐受能力和電壓梯度等等。如：氧化鋅壓敏電阻中加入少量稀土氧化物改善電壓梯度；研究Sb/Bi比例和氧分壓等等對性能影響。德國西門子公司研制的用溶液蒸發分解技術(EDS)制備多組分的ZnO壓敏電阻瓷料的新工藝。新興的納米材料學給許多交叉學科的發展提供了新的思路和方法，在納米制備科學中納米粉體的制備由于其顯著的應用前景發展得較快，國內外從事壓敏電阻研究的學者，為了獲得均勻的前驅粉體，將這種新技術引入氧化鋅壓敏電阻器制造工藝中，并作了大量的研究工作。在如何提高器件通流能力方面，國內廠家也進行了積極探索，主要集中在二個方面：（l）原材料研究，如：稀土氧化物摻雜、添加MgO、化學均相共沉以及溶鹽熱分解等。（2）制備工藝探索，攪拌球磨和壓濾機等。但相互協作研究相比而言較少，與科研機構合作也不是很多。

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