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ZnO壓敏電阻陶瓷的性能是壓敏陶瓷中為優(yōu)異的一種。近年來，由于電子設備向小型化、多功能化發(fā)展，集成電路的集成速度和密度不斷提高，為了使電子線路免遭浪涌電壓的破壞，在低壓領域內(nèi)對壓敏電阻器的應用也提出了越來越高的要求，因此ZnO的低壓化成為研究的熱點。為了尋求一個相對合適的ZnO壓敏陶瓷的低壓化配方，并且將所學專業(yè)理論知識與實際相結合，經(jīng)文獻查閱，我們設計了添加劑的量依次適當增加的四組平行實驗來進行研究。本文首先簡析了ZnO壓敏陶瓷材料的概念、結構、研究現(xiàn)狀及壓敏電阻的性能參數(shù)，并詳細解釋了其導電機理。同時對制備ZnO壓敏陶瓷的基本工藝流程做了初步的了解，通過熱分析的實驗和老師的指導得出，燒結溫度分別為1160℃、1180℃，1200℃三個溫度下保溫2h的燒結條件。

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漏電流IL

漏電流(mA)也稱等待電流，是指壓敏電阻器在規(guī)定的溫度和直流過壓敏電阻器電流。IEC對漏電流 IL較為普遍的定義是：環(huán)境溫度25℃時，在壓敏電阻上施加其所屬規(guī)格的連續(xù)直流工作電壓UDC時，流過壓敏電阻的直流電流。

一般而言，在材料配方和燒結工藝固定的情況下，漏電流適中的壓敏電阻具有較好的安全性和較長的壽命。

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