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靜態(tài)電容量（PF）

靜態(tài)電容量指壓敏電阻器本身固有的電容容量。

響應(yīng)時(shí)間τ

IEEE定義的壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間τ并不是壓敏電阻材料本身的特性，而是由測(cè)試波形、引線、印制電路版的布線方式、外部測(cè)試連接線，以及它們所構(gòu)成的磁環(huán)路等外部原因造成的，根據(jù)這一定義，對(duì)8/20 μs標(biāo)準(zhǔn)雷電流波或TS>8 μs的電流波，壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間τ＝0。

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ZnO壓敏電阻的缺陷除ZnO的本征缺陷外，雜質(zhì)元素的添加是影響其壓敏性能的極其重要的因素。國(guó)內(nèi)外研究人員進(jìn)行了大量研究工作，取得了大量的成果。晶體中雜質(zhì)的進(jìn)入或缺陷的存在，將破壞部分正常晶格的平移對(duì)稱性，產(chǎn)生以雜質(zhì)離子或缺陷為中心的局域振動(dòng)模式，從而形成新的能級(jí)，這些新的能級(jí)一般位于禁帶之內(nèi)，具有積累非平衡載流子(電子或空穴)的作用，這就是所謂的陷阱效應(yīng)，一般把具有顯著陷阱效應(yīng)的雜質(zhì)或缺陷能級(jí)稱為陷阱，相應(yīng)的雜質(zhì)或缺陷成為陷阱中心。電子陷阱是指一類具有相變特征的受主粒子(Mn、Cu、Bi、Fe、Co等)對(duì)電子形成的一種束縛或禁錮狀態(tài)。從晶體能帶理論來解釋,它是指由于各種原因使得晶粒中的導(dǎo)帶彎曲或不連續(xù)，從而在導(dǎo)帶中形成的勢(shì)阱；從晶體結(jié)構(gòu)來看，電子陷阱是指某些晶格點(diǎn)或晶體具有結(jié)構(gòu)缺陷，這種缺陷通常帶

有一定量的正電荷，因而能夠束縛自由電子，正如一般電子為原子所束縛的情況，電子陷阱束縛的電子也具有確定的能級(jí)。

ZnO作為一種寬禁帶的半導(dǎo)體材料,具有本征電導(dǎo)特征。這一本征施主特性使得ZnO粉料能與多種具有相變特征的受主元素在微觀結(jié)構(gòu)中形成電子陷阱。被電子陷阱俘獲的電子在外界電、磁、光、熱等物理量作用下，可脫離陷阱束縛，產(chǎn)生各種豐富的物理效應(yīng)，在電場(chǎng)下的V-I非線性就是壓敏性能的表現(xiàn)。

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